HIT太陽能電池既利用了薄膜太陽能電池的制造工藝優(yōu)勢(shì)，又發(fā)揮了晶體硅和非晶硅的材料性能特點(diǎn)，其具有以下顯著優(yōu)點(diǎn)：

(1)低溫工藝，HIT太陽 能電池結(jié)合了薄膜太陽能電池低溫(200℃~250℃)制造的優(yōu)點(diǎn);

(2)高效率， HIT電池繼承了單晶硅的高遷移率特點(diǎn)，獨(dú)有的帶本征薄層的HIT結(jié)構(gòu)，降 低了HIT界面復(fù)合，提高了電池效率;

(3)高穩(wěn)定性，HIT電池的光照穩(wěn)定性和 溫度穩(wěn)定性好;

(4)低成本，HIT太陽能電池的厚度薄， 可以節(jié)省硅材料。

HIT太陽電池雖然誕生的時(shí)間不長，但憑借其廉價(jià)高效的巨大優(yōu)勢(shì)迅速搶占國際光伏市場(chǎng)，成為目前太陽電池領(lǐng)域中耀眼的一顆新星。為了研究HIT太陽能電池專利技術(shù)的發(fā)展情況，利用S系統(tǒng)中的CNABS、CNTXT、 SIPOABS、 DWPI等數(shù)據(jù)庫，通過IPC分類號(hào)、準(zhǔn)確的關(guān)鍵詞、轉(zhuǎn)庫檢索，獲得初步結(jié)果后去重去噪，然后結(jié)合S系統(tǒng)中的統(tǒng)計(jì)命令和Excel對(duì)該領(lǐng)域的中國專利申請(qǐng)和全球?qū)＠暾?qǐng)進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)分析，統(tǒng)計(jì)的時(shí)間節(jié)點(diǎn)2015年4月。

1、中國專利申請(qǐng)分析

本節(jié)主要對(duì)中國專利申請(qǐng)狀況的趨勢(shì)以及專利重要申請(qǐng)人進(jìn)行分析。 圖1-1為HIT太陽能電池的中國歷年專利申請(qǐng)量分布，從圖中可以看出，HIT 太陽能電池在中國的申請(qǐng)量重點(diǎn)分布在2009年以后，在 2004-2009年期間，專 利申請(qǐng)量較小且無明顯增長勢(shì)頭，說明此階段HIT太陽能電池在我國處于剛 剛起步階段，市場(chǎng)需求還不大;在2009年至2012年期間，專利申請(qǐng)量大幅度增長，技 術(shù) 生 長率呈上升趨勢(shì)， 屬于技術(shù)發(fā)展期，中 國 市 場(chǎng) 需求逐步打開。

圖1-1 中國歷年專利申請(qǐng)量分布

圖1-2 主要專利申請(qǐng)人排名

圖1-2為國內(nèi)主要的申請(qǐng)人，從圖中可以看出，HIT太陽能電池的中國 專利申請(qǐng)中，申請(qǐng)量排名前五位的為常州天合光能有限公司、西安近代化 學(xué)研究所、 華南理工大學(xué)、山東力諾太陽能電力股份有限公司和吉林大學(xué)， 而且與其他申請(qǐng)人的差別較大，說明在我國的專利申請(qǐng)中，專利申請(qǐng)人比較集中，出現(xiàn)了具備一定競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力的龍頭企業(yè)，同時(shí)研究所和高校的申請(qǐng) 量也較大，說明HIT太陽能電池已應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)并投入市場(chǎng)中，吸引了學(xué) 者的研究，具有一定的研究價(jià)值。

2、全球?qū)＠治?/p>

本節(jié)主要對(duì)國外申請(qǐng)專利進(jìn)行分析，從專利申請(qǐng)趨勢(shì)及專利申請(qǐng)國家 區(qū)域分布進(jìn)行分析。圖2-1為HIT太陽能電池的全球歷年專利申請(qǐng)量分布， 從圖中可以看出， HIT太陽能電池在全球的申請(qǐng)量重點(diǎn)分布在2008年以后， 在2000年至2007年期間，專利申請(qǐng)量很小且無明顯增長勢(shì)頭，此 時(shí) 說 明 HIT 太陽能電池剛剛處于起步階段，市場(chǎng)需求還不大;在2009年至2012年期間， 專利申請(qǐng)量增長幅度較大，技 術(shù) 生 長率呈上升趨勢(shì)，屬于技術(shù)發(fā)展期;截止 到統(tǒng)計(jì)的時(shí)間節(jié)點(diǎn)， 2013年之后的專利申請(qǐng)由于公開時(shí)間滯后的原因，而 導(dǎo)致數(shù)據(jù)不完整，尤其是2014年的申請(qǐng)量下降趨勢(shì)非常明顯。

圖2-1 全球歷年專利年代分布

圖2-2中示出了HIT太陽能電池在全球?qū)＠暾?qǐng)目標(biāo)國的國家區(qū)域分 布， 從圖中可以看到，中 國 是 最 為 重要的目標(biāo)國家，也是原創(chuàng)技術(shù)實(shí)力最強(qiáng) 的國家;其 次 為 美 國 、世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織、日本、歐洲專利局、韓國、中 國 臺(tái) 灣 。從數(shù)據(jù)來看，美國、 世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織、 日本，是 該 領(lǐng)域高度關(guān)注的競(jìng)爭(zhēng) 市場(chǎng)，是 該 技 術(shù) 的 主 要生產(chǎn)應(yīng)用國家，HIT太陽能電池技術(shù)具有較好的市場(chǎng)前景。

圖2-2 專利申請(qǐng)目標(biāo)國分布

4、結(jié)語

通過上面的分析可以看出，HIT太陽能電池技術(shù)正處于快速發(fā)展階段， 申請(qǐng)國家主要集中在中國，其不僅申請(qǐng)的專利數(shù)量多，還掌握了大部分的 核心技術(shù)。在我國的專利申請(qǐng)中，有很多高校和企業(yè)的申請(qǐng)人，申請(qǐng)人較為 集中，申請(qǐng)量較大，在申請(qǐng)數(shù)量以及研究深度等方面均達(dá)到一定規(guī)模;從目標(biāo)國家的申請(qǐng)量方面的分析可以看出，中國在 該 領(lǐng)域的市場(chǎng)還是有發(fā)展?jié)摿Φ?，在今后的發(fā)展中，國內(nèi)該領(lǐng)域的申請(qǐng)人應(yīng)多研究和借鑒前沿技術(shù)，加強(qiáng)專利布局 ，重視核心技術(shù)的外圍開發(fā)，以保持和繼續(xù)增強(qiáng)我國技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力。