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通向成功的禁帶:第三代半導(dǎo)體國產(chǎn)化為光伏帶來新機遇

核心提示:通向成功的禁帶:第三代半導(dǎo)體國產(chǎn)化為光伏帶來新機遇
   光伏產(chǎn)業(yè)正在邁入“大組件、大逆變器、大跨度支架、大組串”這樣的“大時代”。大組串節(jié)省支架、土地和人工的效果明顯,在組件價格觸底且在系統(tǒng)比重越來越小的今天,意義越發(fā)凸顯。索比咨詢指出,目前第一輪的尺寸提升已初步完成,而HIT等高效電池技術(shù)效率提升、成本降低的工作還有一段路要走。
  
  通過元器件升級,提高功率密度一直是光伏逆變器的提效降本最主要方式:效率更高,體積更小,發(fā)熱量更低,同時耐高溫性能更好也讓產(chǎn)品更加可靠。近年來,集中式逆變器的箱體越來越小是功率器件升級的最直觀體現(xiàn),而同樣體積的中小型逆變器,功率則提高了數(shù)倍,目前組串式光伏逆變器功率做到了275kW,與功率器件升級密不可分。
  
  一直以來,光伏逆變器元器件環(huán)節(jié)長期被國外廠商占據(jù)大部分市場份額,但現(xiàn)在,國產(chǎn)功率器件將有望打破壁壘,利用第三代半導(dǎo)體的機會彎道超車,助力中國光伏逆變器企業(yè)順利推出下一代解決方案,讓光伏迎來新一輪的提效降本技術(shù)熱潮。
  
  第三代半導(dǎo)體技術(shù)與光伏新時代
  
  半導(dǎo)體材料發(fā)展至今經(jīng)歷了三次技術(shù)迭代。
  
  第一代半導(dǎo)體材料
  
  是鍺與硅,也是目前最主流的半導(dǎo)體材料,成本相對便宜,制程技術(shù)也最為成熟,應(yīng)用領(lǐng)域在信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)以及微電子產(chǎn)業(yè);
  
  第二代半導(dǎo)體材料
  
  包括砷化鎵以及磷化銦,主要應(yīng)用在射頻通訊產(chǎn)業(yè)以及光電產(chǎn)業(yè);
  
  第三代半導(dǎo)體
  
  以碳化硅以及氮化鎵為代表,可應(yīng)用在更高階的高壓高頻的功率元件領(lǐng)域。
  
  碳化硅(SiC)的擊穿電壓是傳統(tǒng)硅器件的十倍以上,并具有比硅更低的導(dǎo)通電阻,柵極電荷和反向恢復(fù)電荷特性,以及更高的熱導(dǎo)率。這些特性意味著SiC器件可以在比硅器件更高的電壓,頻率和電流下切換,同時更有效地管理散熱。由于功率轉(zhuǎn)換效率與開關(guān)頻率直接相關(guān),因此碳化硅器件既可以處理比硅器件更高的電壓,又可以確保超高開關(guān)和導(dǎo)通頻率。
  
  在光伏領(lǐng)域之外,碳化硅器件對比硅器件也有非常大的優(yōu)勢。采用碳化硅器件的電動汽車可以有效提高行駛里程,減小部件梯級降低系統(tǒng)噪聲。
  
  以光伏逆變器為例,對功率半導(dǎo)體器件性能指標和可靠性要求日益提高,更高的工作電壓、更大的工作電流、更高的功率密度以及更高的工作溫度都將是未來的挑戰(zhàn)。隨著行業(yè)邁入“后1500V”以及“20A大電流”時代,要建成更大組串,進一步降低成本,目前常見的有兩種辦法:
  
  一是降低組件工作電壓,另一種方法是提高電站的電壓等級,近年來光伏電站電壓等級從1000V提升至1500V,就必須使用第三代半導(dǎo)體材料也就是碳化硅功率器件。據(jù)了解,目前業(yè)內(nèi)也在研發(fā)1700V甚至2000V及以上電壓等級技術(shù),因此可以說未來的光伏功率器件領(lǐng)域一定是以碳化硅為主動器件的市場驅(qū)動。
  
  光伏逆變器龍頭陽光電源在2018年累計出貨了超過15萬臺使用碳化硅功率器件的光伏設(shè)備,其中已經(jīng)累計使用超過150萬顆碳化硅功率器件。其明確指出,使用碳化硅功率器件后有利于降低功耗,顯著提高開關(guān)頻率,得到更高的效率和功率密度,并有效降低系統(tǒng)成本和運維成本。
  
  在器件、模塊制造環(huán)節(jié),我國已出現(xiàn)了一批優(yōu)秀的企業(yè),包括三安集成、泰科天潤、中車時代、世紀金光、深圳基本、士蘭微、揚杰科技、瞻芯電子、天津中環(huán)、江蘇華功、聚力成半導(dǎo)體等。
  
  但碳化硅元器件也存在著自身的瓶頸,三安集成功率半導(dǎo)體事業(yè)部中國區(qū)銷售總監(jiān)張真榕表示:“以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體器件性能優(yōu)異,但對材料、封裝和器件保護等技術(shù)要求更高,而且長期以來被國外企業(yè)壟斷,成本居高不下。”三安集成母公司三安光電成立于2000年,歷經(jīng)20余年的發(fā)展,發(fā)展為集LED、微波射頻、濾波器、光技術(shù)、電力電子五大應(yīng)用領(lǐng)域為一體的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群,其中第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)完成了“晶圓-襯底-外延-封裝”的全產(chǎn)業(yè)鏈整合。
  
  碳化硅器件國產(chǎn)化的歷史機遇
  
  專家指出,第三代半導(dǎo)體是中國產(chǎn)業(yè)難得的歷史機遇。不同于中國錯失的一代二代半導(dǎo)體技術(shù),第三代半導(dǎo)體國內(nèi)和國際巨頭幾乎處于同一起跑線,科銳、道康寧等企業(yè)占據(jù)全球大部分市場份額,但中國三安集成等企業(yè)也建立了完整了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。同時中國擁有者龐大的應(yīng)用市場,光伏逆變器、新能源汽車空間巨大,中國半導(dǎo)體企業(yè)可以根據(jù)中國市場需求定義產(chǎn)品。
  
  不久前,三安集成邀請了國內(nèi)領(lǐng)先的百余位光伏逆變器領(lǐng)域的專業(yè)人士,向其分享該公司在碳化硅元器件方面的成果以及光伏逆變器國產(chǎn)化的前景。
  
  在三安集成的生產(chǎn)線上,筆者看到,碳化硅的生產(chǎn)工藝與光伏生產(chǎn)的很多設(shè)備功能相似,但“純度更高”(11個9以上)、“溫度更高”(2000°C高溫)、“精度更高”(極低缺陷和位錯)。
  
  三安集成在福建建立了4英寸和6英寸的晶圓生產(chǎn)線,在長沙投資160億元建設(shè)碳化硅產(chǎn)業(yè)園,涵蓋6英寸導(dǎo)電襯底、6英寸絕緣襯底、外延、芯片和封裝工廠。三安集成張真榕表示,到2025年,三安集成將形成4萬片每月的6寸晶圓的產(chǎn)能。
  
  第三代半導(dǎo)體國產(chǎn)化意義重大
  
  此外,在中美貿(mào)易摩擦期間,部分逆變器廠家擔心半導(dǎo)體器件供應(yīng)安全,也開始積極同中國半導(dǎo)體廠商接洽,以期早日實現(xiàn)供應(yīng)商多樣化、器件國產(chǎn)化。同時在全球疫情影響下,傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片大廠的制造和供應(yīng)能力都屢受波及,產(chǎn)能下降、價格上漲,需要國產(chǎn)化器件來穩(wěn)定半導(dǎo)體芯片市場。
  
  目前,包括華為、陽光電源、上能、錦浪、固德威、首航、古瑞瓦特、愛士惟等多家中國逆變器廠商表達了對第三代半導(dǎo)體元器件國產(chǎn)化的期待。
  
  三安集成張真榕就目前光伏行業(yè)熱門的210低電壓大電流組件發(fā)表了看法,他認為隨著第三代半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用,“20A”將很快不再成為逆變器難以逾越的“天塹”,甚至在未來,支撐50A電流的器件也有望應(yīng)用在逆變器領(lǐng)域。

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