據(jù)此，中國科學院合肥物質(zhì)科學研究院固體物理研究所曾雉課題組對CZTSe材料中雜質(zhì)和缺陷的性質(zhì)進行了深入的研究。研究組利用第一性原理計算出Na相關缺陷的形成能、電荷轉移能級和遷移路徑。研究結果表明，在CZTSe中除了NaSn外，其它與Na相關的缺陷均為淺施主或受主。其中，NaZn形成能很低，可以在材料中大量存在，因此會和本征的深能級缺陷SnZn競爭，減少電子空穴對的復合，增強電池的效率；同時，NaZn具有非常淺的電荷轉移能級，可以為材料貢獻空穴，增強材料的p型電導；Na容易在CZTSe材料中以間隙Na原子和NaCu的形式進行遷移，有助于VCu淺受主的產(chǎn)生。相關研究結果發(fā)表在PhysicalChemistryChemicalPhysics上。
銅基化合物CuGaS2室溫帶隙為2.43eV，接近最佳的中間帶母體材料帶隙，是理想的中間帶太陽能電池材料。近年來，中間帶太陽能電池能夠實現(xiàn)三光子吸收過程，理論極限效率高達46%，因此而受到研究人員廣泛關注。實驗和理論均已對多種摻雜元素(Sn、Fe、Ti、Cr等)的CuGaS2進行研究，但結果并不清晰。例如，對于Fe摻雜CuGaS2材料，實驗研究發(fā)現(xiàn)隨摻雜量增大光吸收增強，但光電流和電壓卻在減小。為此，課題組利用優(yōu)化的雜化密度泛函從缺陷物理的角度進行Sn摻雜CuGaS2中的缺陷問題研究。研究發(fā)現(xiàn)，CuGaS2中的SnGa是一個雙極的陷阱，輻射性復合與激發(fā)的可能性相等，因此會限制載流子的壽命，亦即光電流大小。另外，SnGa施主會誘導CuGa受主的自發(fā)形成，兩者電荷補償，將費米能級釘扎在EV+1.4eV處。此時，離化的SnGa+和CuGa-,2–缺陷限制了可利用光的范圍。該研究從理論上解釋了目前實驗上觀測到的現(xiàn)象，為未來研究并理解雜質(zhì)中間帶材料的性質(zhì)提供了新思路。相關研究工作發(fā)表在PhysicalReviewB上。
研究工作得到了國家重點基礎研究發(fā)展計劃（973計劃）、國家留學基金委及合肥超算中心的資助與支持。
圖1.CZTSe中與Na相關缺陷的形成能隨費米能級的變化(a)；Na的遷移路徑(b)。
圖2.CuGaS2中SnGa和CuGa的形成能隨費米能級的變化曲線。箭頭指示絕熱電荷轉移能級所在位置(a)；CuGaS2中SnGa0、SnGa-和SnGa+在子帶隙能量區(qū)間的介電函數(shù)的虛部(b)。
